把12V通过TL494分别转换为-5V1A（左上）和+5V1A（左下），给运放双电源供电，但是运放供电要求纹波要稳定；但是刚仿真启动TL494时，输出-5和+5V是不稳定的，怎么解决这么问题？

使用TL494控制PMOS利用BUCK-BOOST，将12V转换为-5V，发现TL494根本没有输出方波，怎么回事儿？

在Q4 NPN基极前加7500pF延迟电容，在Q1 NMOS栅极前加7500pF缓冲电容，让推挽电路上下管交叉电压在0.15V左右，都不进入VGS(th)=0.4-1.5V导通区间，这样推挽电路上下管应该不存在同时导通的可能。

VGS(th)=0.4-1.5V,两个NMOS管会同时导通吗？

总感觉MOS的推挽电路供电有问题？

右图是LM2595-5原理图，左图是实际搭建图，二极管都是肖特基的3A以上的，实际输出电压不是5V，是5.9V？

24V电源转换为+5V、-5V、+1V、-2V，四合一，终于搞定了。

成功实现乘法9*9=81

终于通过MC34063把3.3V电压转换为+5V和-5V,然后给OPA350UA供电成功了，但是是等到5V基本稳定后（大约5秒），从轨到轨电源转到稳定后的+5V和-5V的；如果直接连接没有稳定的+5V和-5V，仿真偶尔会错误提示时间步长太小。

通过MC34063将3.3V电压转为-5.0V电压，为什么要通过大约40秒的时间，才能从0降到-5.0V？是哪儿有问题？而从3.3V升到5.0V，1ms不到就可以。

使用MC34063把3.3V分别转换为+5V和-5V，给运放OPA350UA供电，仿真时出现问题，因为MC34063完全转换到+-5V,需要5秒钟左右，仿真提示运放的时间步长太小。直接用Power+-5V给运放供电，没有问题。

MCP1612实现3.3V转1.0V，结果出现CPU负载快速达到100%，甚至仿真器崩溃；通过 系统-设置动画-仿真速度-最大化每秒帧数+减小每帧时间+单步时间+SPICE单步时间，终于让CPU负载稳定在6%左右，正常输出1.0V。

仿真了一个九九乘法表，用了74HC4051八通道模拟多路复用器，做5*9=45的时候没问题，其它数据输入相乘时，老是提示4051的Pin 'VEE' is not modelled，抓瞎了。

仿真了一个乘法电路，实现3.5*4=14V，因使用的运放VS=15V，所以最大只能输出15V，有什么办法可以实现输出更大的电压吗？如100V，85V，200V等。

PID中，输入方波，放大部份R10/R7=5K/1K=5倍，实际只有2.5倍，是不是R10充当了放大和微分作用，或者说R7充当了放大和积分作用，造成了这种问题？

NPN放大Au=Vo/Vi，交流输入100mV,10kHz，Rc/Re=5k/1k=5倍，NPN是FMMT5119，实际仿真显示输出电压是输入电压的4.2倍左右，另外不能实现放大大于5倍以上？！

仿真时，显示US1：A有问题

用运放AD8031(压摆率SR=35V/us)能够实现振荡周期T=4R1R3C1/R2=4*10K*5K*1n/20K=10us，实际显示周期10us左右；R1/R2固定情况下，改变R3和C1，理论上应该能够改变振荡周期，但是，无论增大或减小R3和C1，都不能起震，这是怎么回事儿？！

用LM358N运放，通过R3C1延时和滞回比较，搭建方波发生器，震荡周期T=2R3C1Ln(1+2R1/R2) =3.96ms，R1=R2=10K,C1=100nF,R3=18K,显示很准确。但是，我想把周期T降低到微秒或者低于4毫秒，无论是降低R2或者降低R3、C1，运放无法震荡，这是怎么回事儿？

通过电容自举，给NMOS栅极提供开关电压，NMOS源极连接步进电机输出，按照A+,B+,A-,B-单相通断，推动步进电机运行；问题出在没4拍完成后，电机暂停一下，然后连续4拍，电机又暂停一下，请问这个暂停是怎么引起的？

电容自举后，15V+24V=39V，实际到达NMOS栅极端的只有37.3323V，15V远超NMOS的GS开启电压，甚至比GS击穿电压14V还高，NMOS的源极电压只有23.465V，VGS=37.3323-23.465=13.8673V;按道理NMOS的源极应该是24V才对，不知道是啥原因。

蓝色的方波，怎么一直向右下角缓慢移动？上面黄色的是555产生的方波，开始也向右下角移动，稍后停止向右下角移动，只向右边移动。

监测1.0-1.3A的电流，选0.05Ω的检测电阻，高边检测，负载等效电阻11Ω,计算结果=(200k/10k)*[0.05Ω*24V/(11Ω+0.05Ω)]=2.17V，实测2.51V；另外检测电阻改为0.10Ω，计算结果=4.32V，实测还是2.51V；不晓得哪里存在问题。

两相步进电机，内阻基本一致，如3.3Ω和3.4Ω，但是感抗分别为2.62mH和4.67mH，在同样DC24V供电情况下，电流分别为1.30A和0.74A，电机额定电流位1.3A，这种情况下，两相电流不一致，对电机运转影响大不大？需要调整两相电流一致不？

555产生占空比50%，频率72HZ（周期13.86ms)的信号，通过2个半桥，驱动42步进电机，电机运行无声音和振动，就是一顿一顿的，请问是啥原因造成的？

终于整出了DC24V->12V,DC9V->5V，两个半桥，驱动了42步进电机，还有点抖。不晓得啥原因。555输出方波占空比50%，频率72HZ(13.86ms)，不晓得是不是频率低了还是占空比50%造成了。

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V1电源，是5V3A直流，V2和V3是用栅极驱动IC输出12V的脉冲源，能提供2A的灌或拉电流，用2个NMOS管控制开关，2.8V电阻和3.8mH电感模拟一相电机。 按照图1连接，上方的NMOS的VGS达到7.032V，可以确定上方的NMOS完全导通并稳定；下方的NMOS的VGS达到12V，也可以确定下方的NMOS完全导通并稳定，但是我选择的NMOS的VGS必须小于正负8V，所以决定调整下方NMOS的VGS值，以便实现下方NMOS的ID满足驱动电机的能力。 在图2中，下方NMOS增加R2，调整下方NMOS的VGS到5.629V，VGS处于导通和稳定状态；在下方NMOS的源极增加分流电阻R6，调整ID为1.5A，以便驱动电机。 在图3中，添加示波器看看最终结果 图5是在没有对电机两端添加肖特基二极管时电机两端电压的波形，下降阶段有-25V的峰值和+6V的峰值 图4是在电机两端添加肖特基二极管时电机两端电压的波形，上升阶段有个+0.7V左右的峰值，下降阶段，有一个-0.7V左右的峰值，效果有所改善。 不晓得我的理解有问题没？

NMOS（DMG3414U） Gate-Source Voltage(VGSS)范围：±8V Continuous Drain Curren(Id)=4.2A(25℃) Gate Threshold Voltage(VGS(TH))=0.5~0.9V 1.在常温下，4.2A的Id对应VGS大概是1.3V，是不是说，VGS要钳位到1.3V,才可以获得持续的漏电流4.2A. 2.如果在常温下，NMOS用于高边，漏极连接5V电源，希望获得持续向下的电流4.2A，VGS是不是必须要钳位到1.3V? 3.同时，VG=5V+1.3V=6.3V，即从栅极输入的脉冲波高电位需要6.3V？ 4.如果VGS钳位到1.5V,Id大概是10A，NMOS真的有提供10A的电流能力？ 5.如果希望向电机提供2A的电流，即Id=2A,栅极驱动IC灌拉电流也能满足2A，对应的VGS=1.2V，VG=VGS+VCC=1.2+5=6.2V，那么输入的方波也必须要调整高电位到6.2V吗？

步进电机，额定电流1.5A，电阻2.3Ω，怎么建议使用电压VDC24V呢？就算2相，2*1.5*2.3=6.9V，也不是24V?