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C2888934 的封装与手册不符
估计是你们EDA的封装错了
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倾佳电子西安办事处：力推基本半导体全系列SiC产品，赋能北方区电力电子产业新未来1.0 引言：倾佳电子西安办事处，精准服务中国“新电源”心脏地带在国家“双碳”目标引领与能源结构转型的浪潮下，中国电力电子产业正迎来前所未有的发展机遇。作为国家能源战略的重要承载区，中国北方区（北方区）凭借其在风力发电、光伏储能、高端装备制造以及重工业绿色升级等领域的庞大产业集群，已成为中国“新电源”技术创新的心脏地带。为应对这一历史性机遇，倾佳电子（Changer Electronics）在西安成立其北方区办事处。此举不仅是倾佳电子全国战略布局的关键一步，更是一项意义深远的承诺：将全球最前沿的第三代半导体技术与最高效、最本地化的技术支持服务相结合，零距离赋能北方区电力电子客户。倾佳电子西安办事处的成立，旨在从根本上转变传统的元器件供应模式，升级为针对客户具体应用的深度技术合作伙伴。对于所有致力于开发下一代储能变流器（PCS）、电能质量（APF）、风电变流器、固态变压器（SST）以及大功率充电桩电源模块的创新企业而言，倾佳电子西安办事处将成为其获取顶级半导体解决方案、缩短研发周期、抢占市场先机的核心枢纽。而这一承诺的坚实后盾，正是来自中国碳化硅（SiC）功率器件的领军企业——深圳基本半导体有限公司（BASiC Semiconductor）的全系列产品生态。2.0 强强联合：立足全球顶尖技术，服务本土创新需求倾佳电子的本地化市场洞察与服务能力，现已与中国最强大的SiC技术源头之一实现战略协同。深圳基本半导体有限公司（以下简称“基本半导体”）不仅是供应商，更是中国在第三代半导体领域实现自主创新的国家级专精特新“小巨人”企业 。源自顶尖科研的深厚底蕴基本半导体的技术领导力源于其创始团队的深厚科研背景。公司由清华大学及剑桥大学的电力电子博士团队领衔创立 ，确保了其在器件物理、材料科学、封装工艺和应用拓扑方面始终保持“第一性原理”的深刻理解和持续创新能力。历经严苛验证的“转移可靠性”基本半导体的技术实力不仅停留在实验室，更赢得了全球最严苛工业巨头的信任。其股东及战略合作伙伴阵容堪称豪华，包括：全球汽车技术与工业应用的领导者。全球轨道交通装备的绝对龙头。中国主流新能源汽车的核心主机厂之一 。这不仅是企业实力的背书，更是一种“技术转移可靠性”的直观体现。基本半导体的SiC功率模块已经在中国主流800V甚至准900V高端电动车型上实现大批量装车应用 ，并通过了轨道交通级别的高振动、高可靠性、长寿命的严苛考验。这项已在恶劣的车规和轨交环境中被充分验证的可靠性，为应用于储能、风电、电能质量等工业场景时，提供了无与伦比的性能冗余和长期运行保障。全球布局，本土深耕基本半导体构建了全球化的产业布局，包括深圳总部的6英寸碳化硅晶圆制造基地、无锡的车规级功率模块封测基地以及日本名古屋的研发中心等 。倾佳电子西安办事处，正是将这一全球化的顶尖技术资源进行本地化落地的关键执行者，确保北方区的客户能够即时获得技术支持。3.0 全系列产品生态：从SiC芯片到驱动方案的完整闭环本次倾佳电子在北方区重点推广的，是基本半导体的“全系列产品” 。这不仅是一个宽泛的产品目录，更是一个深度集成、协同优化的SiC应用生态系统。碳化硅（SiC）凭借其高压、高温、高频的卓越特性，正在取代传统硅（Si）基器件，但其应用难点也同样突出。SiC极快的开关速度（高dv/dt）使其对驱动电路的设计、杂散电感的控制提出了远超IGBT的挑战，米勒效应引发的寄生导通风险是困扰行业工程师的普遍难题 。基本半导体的核心价值在于，它不仅提供高性能的SiC器件，更提供了一整套经过验证的、用于“驾驭”这些器件的驱动与控制解决方案，形成了从芯片到系统的完整闭环。该生态系统主要包含四大产品支柱：3.1 支柱一：SiC分立器件 (器件基础)基本半导体提供覆盖650V至1700V的SiC MOSFET和650V至2000V的SiC SBD（肖特基二极管）分立器件 。其产品采用TO-247, TO-263, TOLT, SOT-227等多种行业标准封装，满足不同功率等级和散热需求 。其第三代（B3M）SiC MOSFET产品，具有更优的品质因数（FOM, RDS(ON)​∗QG​）、更低的开关损耗和极高的一致性，非常适合多管并联应用 。3.2 支柱二：工业级SiC功率模块 (应用核心)这是北方区电力电子客户的核心需求所在。基本半导体Pcore™系列工业模块，采用行业主流的E1B、E2B、34mm和62mm等封装形式，为PCS、APF、高端焊机和充电模块提供了高功率密度的核心动力 。这些模块集成了下文详述的先进芯片技术和高可靠性封装工艺。3.3 支柱三：车规级SiC功率模块 (可靠性标杆)车规级模块是基本半导体的技术高地，其产品已广泛应用于国内外主流车企 。这些为严苛的汽车运行环境（高低温冲击、强振动）而开发的技术，被降维应用于工业模块中，确保了工业产品具备超标准的可靠性。3.4 支柱四：集成电路与驱动解决方案 (生态闭环)这是基本半导体区别于传统器件商的关键。为解决SiC的应用难题，基本半导体自主研发了完整的配套IC生态：隔离驱动芯片 (IC) ：如BTD5350MCWR和BTD25350x系列，专为SiC MOSFET的驱动特性而优化，内置米勒钳位（Miller Clamp）功能，从芯片层面根除寄生导通风险 。驱动电源芯片 (IC) ：如BTP1521x系列，为隔离驱动芯片提供高效、稳定、隔离的副边供电 1即插即用驱动板：如BSRD-2427（适配34mm模块）和BSRD-2503（适配62mm模块），这些驱动板是集成上述IC和变压器的完整解决方案，已经过全面测试和优化，可直接与功率模块配套使用 。对于北方区的工程师而言，他们不再需要耗费数月时间调试SiC驱动电路，而是可以从倾佳电子获得“BMF540R12KA3模块 + BSRD-2503驱动板”这样一套经过完全验证的系统级方案，极大降低了研发风险和上市时间（Time-to-Market）。4.0 深度解析：Basic Semiconductor 工业模块的核心技术优势基本半导体的工业模块之所以能在性能和可靠性上实现行业领先，源于其在芯片技术、封装材料和电路设计三个层面的深度创新。4.1 卓越性能：第三代 (Gen 3) 芯片技术基本半导体的Pcore™系列工业模块（如34mm和62mm系列）已全面采用其第三代SiC MOSFET芯片技术 。这项技术带来了极低的导通损耗（高温RDS(on)​表现优异）和极低的开关损耗（Eon & Eoff）。在严苛的800V母线电压、400A大电流、125°C高温下的双脉冲测试中，基本半导体的BMF240R12E2G3 (Pcore™ E2B) 模块，展现出了比肩甚至超越国际一线品牌的优异性能，尤其在关断损耗（Eoff）和总开关损耗（Etotal）方面表现出色 。对于追求极致效率的PCS和充电桩客户而言，更低的总损耗意味着更低的发热量、更小的散热器尺寸和更高的系统整机效率。4.2 极致可靠：Si3​N4​ AMB 陶瓷基板与高温焊料高可靠性是工业级（尤其是储能和风电）应用的生命线。基本半导体的高性能模块（如Pcore™ E1B/E2B, 62mm等）均战略性地采用了高性能氮化硅（Si3​N4​）AMB陶瓷基板和高温焊料 。行业内一个普遍的误区是认为选择Si∗3N∗4仅为了导热，但数据显示氮化铝（AlN）的热导率（170 W/mK）远高于Si∗3N∗4（90 W/mK）。基本半导体选择Si∗3N∗4的真正原因在于其卓越的机械可靠性：高机械强度：Si∗3N∗4的抗弯强度（700 N/mm2）是AlN（350 N/mm2）的两倍，更不易开裂 。热膨胀系数（CTE）完美匹配：Si∗3N∗4的CTE (2.5 ppm/K) 与SiC芯片本身高度一致，远优于AlN (4.7 ppm/K) 和 Al2​O3​ (6.8 ppm/K) 。对于北方区的风电和PCS客户而言，其设备工况并非恒定，而是处在频繁的功率循环（Power Cycling）中（如风力时大时小、储能昼夜充放）。这种循环会导致剧烈的温度变化，产生机械应力。AlN基板因CTE失配和材料较脆，在严苛的温度冲击测试后（1000次循环），会与铜箔发生分层剥离；而Si∗3N∗4基板则能保持完好的结合强度 1。因此，基本半导体的模块是真正为长寿命、高可靠性的严苛工业环境而设计的。4.3 优化设计：内置SiC SBD的长期价值基本半导体的Pcore™ E1B/E2B等系列模块在封装内部集成了SiC SBD（肖特基二极管）。表面上看，这是一个简单的功能，用于在半桥续流期间提供更低的二极管压降（VF​ / VSD​），从而降低损耗 。但其背后隐藏着一个对设备长期可靠性至关重要的设计考量：防止双极性退化（Bipolar Degradation） 。如果让SiC MOSFET自身的体二极管（Body Diode）长时间承载续流电流，其传导机制会导致晶格内部产生堆垛层错（Stacking Faults）。这种缺陷是不可逆的，它将导致MOSFET的沟道电阻，即RDS(on)​，随着使用时间的推移而永久性增大。测试数据清晰地揭示了这一风险：在普通MOSFET中，仅运行1000小时的体二极管导通后，其RDS(on)​波动高达42%；而集成了SiC SBD的基本半导体模块，由于续流电流绝大部分由SBD承担，MOSFET本身未发生退化，其RDS(on)​变化率低于3% 。对于APF或PCS这种需要24/7全天候运行的设备而言，这意味着竞争对手的模块在运行一年后，其导通损耗可能已大幅增加，导致系统效率下降、发热剧增，甚至引发热失控。而基本半导体的模块则能确保在整个生命周期内保持“出厂即巅峰”的稳定低损耗性能，极大降低了客户的长期运维成本（TCO）。5.0 应用聚焦：为北方区核心客户量身定制的SiC解决方案倾佳电子西安办事处将利用基本半导体的技术优势，为北方区四大核心应用场景提供精准的产品方案。5.1 储能变流器 (PCS) 与 风电变流器应用需求：高功率密度、高转换效率、极高的长期运行可靠性、卓越的功率循环和热循环能力。推荐方案：100-150kW 工商业PCS：Pcore™ E2B系列 (如 BMF240R12E2G3) 是官方推荐的标准选型，兼顾性能与成本效益 。250kW及以上大功率PCS / 风电变流器：Pcore™2 62mm系列 (如 BMF540R12KA3) 是理想选择。这是一款1200V / 540A的大电流半桥模块 。性能实证（风电应用） ：风电变流器本质上是一种大功率电机驱动。基本半导体针对BMF540R12KA3（SiC模块）与业界主流的800A IGBT模块（FF800R12KE7）进行了详细的PLECS仿真对比 。在典型的300Arms电机驱动工况下：效率对比：在6kHz开关频率下，SiC方案的整机效率高达99.53% ，而IGBT方案仅为97.25% 。温度对比：SiC模块的最高结温仅为102.7°C，而IGBT则高达129.1°C。更低的结温意味着更低的故障率和更长的寿命 。出力对比：在相同的175°C结温限制下，SiC模块可稳定输出556.5 Arms的相电流，远超IGBT的446 Arms 。5.2 电能质量 (APF)应用需求：高开关频率（实现更快的谐波补偿响应），低开关损耗（APF设备需长期在线运行），高可靠性。推荐方案：基本半导体的应用指南提供了清晰的选型路径 。75A APF: BMF011MR12E1G3 (Pcore™ E1B)100A APF: BMF008MR12E2G3 (Pcore™ E2B)150A APF: BMF240R12E2G3 (Pcore™ E2B)技术优势：Pcore™ E1B/E2B系列凭借低开关损耗和内置SBD（消除反向恢复损耗）的特性，是帮助APF客户轻松实现99%以上整机效率的利器 。5.3 充电桩电源模块 与 固态变压器 (SST)应用需求：极高的开关频率（>100kHz甚至更高），以大幅缩小变压器、电感等磁性元件的体积和成本，从而实现极致的功率密度和成本控制。推荐方案：Pcore™ E2B系列 (如 BMF240R12E2G3) 是专为“大功率快速充电桩”和“高频DCDC变换器”应用而设计的 1。固态变压器（SST）的核心即为高频DCDC变换，因此该系列是这两类客户的理想选择。Pcore™ 34mm系列 (如 BMF80R12RA3) 适用于对体积和频率有更高要求的场合 。性能实证（高频应用） ：以高端焊机（拓扑与SST/充电桩类似）的仿真为例，基本半导体的BMF80R12RA3（34mm SiC模块）在80kHz的高开关频率下运行，其总损耗仅为321W；而传统高速IGBT为实现相同的20kW输出，频率只能运行在20kHz，总损耗却高达596W 。结论：基本半导体的SiC模块能让充电桩和SST客户将开关频率提升4倍，而系统总损耗反而降低近一半。这一巨大优势是实现高功率密度电源模块小型化、轻量化和低成本化的关键。基本半导体产品矩阵：北方区电力电子应用选型指南目标应用 (Target Application)关键需求 (Key Requirement)推荐模块系列 (Recommended Module Series)推荐分立器件 (Recommended Discretes)推荐驱动方案 (Recommended Driver Solution)储能变流器 (PCS)高效率, 高可靠性, 卓越的热循环性能Pcore™ E2B (BMF240R12E2G3) Pcore™ 62mm (BMF540R12KA3) B3M020120H (20mΩ), B3M040120Z (40mΩ) BSRD-2503 (适配62mm) 1, BTD5350MCWR (驱动IC) 电能质量 (APF)低开关损耗, 高频 (>50kHz), 高可靠性Pcore™ E1B (BMF011MR12E1G3) , Pcore™ E2B (BMF008MR12E2G3) B3M040120Z (40mΩ) BTD5350MCWR (驱动IC) , BTP1521P (电源IC) 风电变流器Høy strømkapasitet (>500A), 极高可靠性, 低 RDS(on)​Pcore™ 62mm (BMF540R12KA3) (Modul-basert)BSRD-2503 (即插即用驱动板) 固态变压器 (SST)极高开关频率 (>100kHz), 低Eon/Eoff, 低杂散电感Pcore™ E2B (BMF240R12E2G3) B3M040065Z (650V/40mΩ) BTD25350x (双通道IC) 充电桩电源模块高频 (>100kHz), 高效率, 成本效益Pcore™ E2B (BMF240R12E2G3) , Pcore™ 34mm (BMF80R12RA3) B3M040120Z (40mΩ) , B3D10120H (SBD) BSRD-2427 (适配34mm) , BTD5350MCWR (驱动IC) 6.0 结论：立足西安，开创未来——从“芯”到“系统”的本土承诺倾佳电子西安办事处的成立，“应用级解决方案”服务模式的开启。对于广阔的北方区市场而言，倾佳电子带来的不再是孤立的元器件参数表，而是携手基本半导体共同打造的一整套SiC生态系统：享有最高可靠性背书的SiC模块：这些模块的核心技术历经车规和轨交市场的严苛验证 。专为长寿命设计的封装技术：Si3​N4​ AMB基板确保了在功率循环工况下的超长机械寿命 。保障长期稳定性能的芯片设计：内置SiC SBD从根本上杜绝了RDS(on)​的长期退化风险 。彻底解决应用痛点的驱动方案：提供从IC到驱动板的完整闭环，帮助客户规避SiC驱动的设计陷阱，实现“交钥匙”工程 。倾佳电子西安办事处将作为推广中心和快速交付中心，致力于为每一位电力电子创新者提供从“芯”到“系统”的本土化承诺，共同赋能中国能源转型的宏伟未来。
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Ip5356充电宝无法触发华为22.5w的超级快充
请教各位大佬，我按照IP5356说明书中给的经典应用制作的充电宝，始终无法触发华为手机（pura70 pro）的22.5瓦超级快充，只能触发快速充电。请问是有什么需要注意的地方没做对吗？ 是不是ip5356无法触发华为的超级快充？
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最近在折腾啥~ 星火结项又往后🕊了几天 大功率Load出了点问题，这个月基本一直在折腾大功率
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为什么“负压够深”是解决SiC MOSFET串扰问题的最有力措施：结合基本半导体(BASIC Semiconductor)器件的深度分析倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！摘要碳化硅（SiC）MOSFET以其极高的开关速度（高 dV/dt 和 dI/dt）正在引领电力电子的性能革命，但这亦是其应用稳定性的核心挑战。高速开关在半桥拓扑中不可避免地会诱发寄生导通（Crosstalk），导致桥臂直通，从而显著增加损耗、威胁系统可靠性。倾佳电子旨在从物理机制、器件特性和系统设计等多维度，深度论证为何施加“足够深的栅极负压”是解决SiC MOSFET串扰问题的最直接、最有效且对开关性能影响最小的“最有力措施”。倾佳电子通过物理建模和数据分析证明，相比于牺牲开关速度的无源方案或存在反应延迟的米勒钳位方案，负压关断通过主动、线性地提升串扰免疫裕量，从根本上解决了高 dV/dt 下的稳定性问题，且保证了器件全温度范围内的鲁棒性。最后，倾佳电子将结合基本半导体（BASiC Semiconductor）的三款代表性SiC MOSFET产品（B3M010C075Z, B3M013C120Z, B3M020140ZL）的数据手册进行深度分析。分析表明，基本半导体在其器件设计（如低 Crss​）、封装技术（如4引脚开尔文源）以及驱动建议（如推荐-5V关断电压 VGSop​ 和-10V极限电压 VGSmax​）中，系统性地贯彻了负压关断的设计哲学，为实现高速、高效、高可靠性的SiC电力电子变换器提供了坚实基础。1. 引言：SiC MOSFET的“速度与稳定”悖论碳化硅（SiC）材料的引入，为功率器件带来了相较于传统硅（Si）IGBT和MOSFET的革命性飞跃。SiC MOSFET凭借其高击穿场强、高热导率和高电子饱和速率，实现了极低的导通电阻 RDS(on)​ 和开关损耗，使其能够在极高的开关频率下运行 。这使得采用SiC器件的电力电子变换器（如电动汽车车载充电机、光伏逆变器和电机驱动）能够大幅缩小磁性元件和电容器的体积，显著提高系统的功率密度和效率。然而，SiC MOSFET的这一核心优势——即纳秒（ns）级的开关瞬态——也带来了一个严峻的工程挑战，即“串扰”（Crosstalk），也称为寄生导通（Parasitic Turn-On, PTO）。在电力电子最常用的半桥拓扑结构中（包含上管S1和下管S2），串扰现象尤为突出。当一个MOSFET（例如S1，主动管）高速开通时，其极高的电压变化率（dV/dt）会通过寄生电容，在另一个本应保持关断的MOSFET（例如S2，对管）的栅极上感应出电压尖峰 。如果该尖峰足以触发S2的栅极阈值，S2将发生误导通。这种误导通会导致上下桥臂在瞬时形成短路，即“桥臂直通”（Shoot-through或Crow-bar current）。这不仅会急剧增加开关损耗、降低系统效率，更会使器件承受极大的瞬时热应力，在严重情况下可导致器件热失效，即俗称的“炸机”。因此，电力电子设计者面临一个核心的“速度与稳定”悖论：SiC器件的优势（高 dV/dt）恰恰是导致串扰（PTO）的直接原因 1。一个理想的串扰抑制措施，必须在不显著牺牲（或根本不牺牲）SiC高速开关性能的前提下，确保其关断稳定性。任何以大幅降低 dV/dt 为代价的解决方案，本质上都违背了选用SiC器件的初衷。2. 串扰的物理机制：dV/dt 诱发的米勒效应要理解串扰，必须深入分析半桥拓扑中的电荷路径和寄生参数。2.1 半桥拓扑中的电荷路径以半桥电路为例，假设下管S2处于关断状态（栅极被驱动器拉至关断电平），上管S1开始执行开通动作。在S1开通的瞬间，S2的漏极（Drain）电位（即S1的源极电位）将发生剧变，其漏源电压 VDS​ 会以极高的速率（即 dV/dt）从接近0V（或体二极管压降）快速上升至直流母线电压（例如800V）。在SiC MOSFET应用中，这个 dV/dt 值可轻易超过50 V/ns，甚至100 V/ns 。2.2 米勒电容 (Crss​/Cgd​) 的关键角色MOSFET器件内部存在三个主要的寄生电容：栅源电容 Cgs​、栅漏电容 Cgd​ 和漏源电容 Cds​。在串扰机制中，扮演关键角色的是栅漏电容 Cgd​，它在器件数据手册中通常被定义为反向传输电容 Crss​ （例如，基本半导体的B3M010C075Z的典型 Crss​ 为19 pF ）。当S2的 VDS​ 经历快速上升（高 dV/dt）时，一股位移电流（Displacement Current），即米勒电流 Imiller​，将通过米勒电容 Crss​ 被“注入”到S2的栅极节点。该电流的大小严格遵循电容的物理定义：Imiller​=Crss​×dtdVDS​​由于 Crss​ 本身是 VDS​ 的非线性函数（VDS​ 越高，Crss​ 越小），在 VDS​ 较低时 Crss​ 值最大，因此在 dV/dt 瞬态的起始阶段 Imiller​ 尤其显著。2.3 寄生导通的判定这股米勒电流 Imiller​ 从S2的漏极“灌入”栅极后，必须通过栅极驱动回路流向源极。这个回路主要由栅极驱动器的输出阻抗、外部栅极电阻 RG(ext)​、器件内部栅极电阻 RG(int)​ 以及栅源电容 Cgs​ 构成 。Imiller​ 在流经栅极回路阻抗（主要是 Rg​=RG(ext)​+RG(int)​）时，会产生一个正向的电压尖峰 VGS_spike​。同时，Imiller​ 也会对 Cgs​ 充电。这个过程可以通过一个简化的分压模型来理解， VGS_spike​ 的峰值取决于 Crss​ 和 Cgs​ 的比值以及 Rg​ 的大小 。寄生导通的判定条件非常明确： 如果 VGS_spike​ 的峰值电压超过了该器件的栅极阈值电压 VGS(th)​，S2的沟道将瞬间开启，发生寄生导通 。3. 核心指标：量化串扰“免疫裕量” (Immunity Margin)为了评估器件抵抗串扰的能力，我们必须引入一个关键的量化指标——“串扰免疫裕量”（Immunity Margin）。3.1 定义免疫裕量免疫裕量，是指 VGS_spike​ 需要克服的电压“门槛”，即关断状态下的栅极电压 VGS_off​ 与栅极阈值电压 VGS(th)​ 之间的差值。Margin=VGS(th)​−VGS_off​情景一：0V 关断。在许多传统Si MOSFET或IGBT驱动中，关断电压 VGS_off​=0V。此时：Margin=VGS(th)​情景二：负压关断。如果使用负压关断，例如 VGS_off​=−5V。此时：Margin=VGS(th)​−(−5V)=VGS(th)​+5V因此，一个更通用的表达式是：Margin=∣VGS_off​∣+VGS(th)​。3.2 0V 关断的固有缺陷：热不稳定性从上述公式看，0V关断策略似乎是可行的，只要 VGS_spike​ 保持在 VGS(th)​ 以下。然而，这种策略在SiC应用中存在一个致命的、且常被忽视的缺陷：热不稳定性。0V关断的裕量完全依赖于 VGS(th)​。而MOSFET的 VGS(th)​ 具有显著的负温度系数，这是其固有的半导体物理特性。我们查阅基本半导体的器件数据手册可以清晰地看到这一点：B3M010C075Z (750V): VGS(th)​ 典型值在 25°C 时为 2.7 V，在 175°C 时下降至 1.9 V 。B3M013C120Z (1200V): VGS(th)​ 典型值在 25°C 时为 2.7 V，在 175°C 时的最小值仅为 1.9 V 。B3M020140ZL (1400V): 数据与1200V器件相同，典型值 2.7 V (25°C)，最小值 1.9 V (175°C) 。这意味着，当SiC MOSFET在高功率密度下运行、结温（TJ​）飙升至175°C时，其 VGS(th)​ 相比室温下降了近 30%。对于0V关断策略，这等同于其串扰免疫裕量在最需要稳定性的高温工况下，自动减少了30%。这种裕量随温度升高而恶化的特性，使得0V关断策略在高温、高功率密度的SiC应用中，成为一个重大的设计隐患和可靠性短板。4. 串扰抑制措施的对比分析：为何负压“最有力”？目前业界存在多种串扰抑制措施，但通过对“速度与稳定”悖论的分析，我们可以清晰地看到为何负压关断是“最有力”的。4.1 方案一：无源方案（牺牲性能）增加栅极电阻 Rg​： 增加 Rg​ 值可以有效抑制 VGS_spike​。一方面，它减慢了主动管（S1）的开通速度，从源头上降低了 dV/dt；另一方面，它增加了S2栅极回路的RC常数 。但其致命缺点是：显著增加了开关损耗（Eon​ 和 Eoff​），并降低了开关速度，完全违背了使用SiC的初衷 。增加外部栅源电容 Cgs​： 在栅极和源极之间并联一个小电容，可以为 Imiller​ 提供一个分流路径 ，降低 VGS_spike​。但缺点同样明显：它增加了总的栅极电荷 Qg​，提高了驱动功耗，并减慢了开关速度 。4.2 方案二：有源钳位方案（反应滞后）主动米勒钳位 (Active Miller Clamp, AMC)： 这是一种广泛集成在现代驱动IC中的技术 。其原理是，在关断期间，当栅极电压 VGS​ 低于某一电平（例如2V）后，驱动器会通过一个旁路的小型MOSFET将栅极“钳位”到源极（或负轨）5。当 Imiller​ 注入时，AMC提供一个极低的阻抗路径，防止 VGS​ 抬升。缺点： AMC是一种反应式（Reactive）措施。它依赖于检测 VGS​ 电压并作出反应，这在电路中存在传播延迟（Propagation Delay）。对于SiC极高的 dV/dt（瞬时纳秒级），AMC的反应速度可能不够快。在钳位电路完全生效之前，VGS_spike​ 可能已经超过了阈值电压 VGS(th)​，导致串扰已经发生。4.3 方案三：负压关断方案（主动防御）原理： 在关断状态下，不使用0V，而是施加一个负的栅极偏压，例如 -4V 或 -5V 。优势（最强论点）：从根本上提高裕量： 负压关断是一种主动防御（Proactive）措施。它不依赖于任何检测或反应，而是在串扰发生之前，就通过 Margin=∣VGS_off​∣+VGS(th)​，将免疫裕量从 2-3V 的水平（0V关断），直接提升到 7-8V 的水平（-5V关断）。不牺牲开关速度： 这是最关键的一点。负压关断不依赖于减慢主动管的 dV/dt 。它允许系统设计者将 dV/dt 推至极限以获取最低的开关损耗，同时利用深负压来“吸收”由此产生的 VGS_spike​。它完美地解决了“速度与稳定”的悖论。热稳定性： 如第3.2节所分析，即使 VGS(th)​ 在高温下从 2.7V 降至 1.9V，-5V 负压提供的总裕量也只是从 7.7V 降至 6.9V。裕量本身依然极其充足，确保了全工作温度范围内的设计鲁棒性。表 1：串扰抑制方案对比抑制措施原理优势缺点 (对SiC而言)增加 Rg​ / Cgs​牺牲开关速度换取裕量简单、无源增加开关损耗，违背SiC低损耗初衷主动米勒钳位串扰发生时低阻抗钳位动态钳位，低阻抗反应式、有传播延迟，可能跟不上SiC的 dV/dt负压关断主动提升免疫裕量不牺牲开关速度、裕量大、热稳定、主动防御增加驱动电源的复杂性（需负电源轨）5. 深度分析：基本半导体 (BASIC) SiC MOSFET 的负压关断能力基本半导体（BASIC Semiconductor）作为SiC器件的领先供应商，其产品的数据手册和设计，深刻体现了对负压关断重要性的理解。我们选取其750V, 1200V和1400V三款代表性器件进行分析。5.1 关键参数解读：VGSop​ 与 VGSmax​ 的“窗口”首先，我们整理这三款器件的关键栅极参数，以进行横向对比。表 2：基本半导体 SiC MOSFET 关键栅极参数器件型号电压等级VGS(th)​ (Min, Typ @25°C)VGSop​ (推荐)VGSmax​ (最大)Crss​ (Typ)数据源B3M010C075Z750VN/A, 2.7V-5V / +18V-10V / +22V19 pF (@500V)8B3M013C120Z1200V2.3V, 2.7V-5V / +18V-10V / +22V14 pF (@800V)8B3M020140ZL1400V2.3V, 2.7V-5V / +18V-10V / +22V11 pF (@1000V)8从这个表中，我们可以提炼出几个关键的设计信息：一致的 VGSop​： 所有器件的推荐栅源电压（VGSop​）均为 -5V / +18V。一致的 VGSmax​： 所有器件的栅源极限电压（VGSmax​）均为 -10V / +22V。相似的 VGS(th)​： 阈值电压均在 2.3V (Min) 到 2.7V (Typ) 范围。Crss​ 的趋势： 随着电压等级的升高，Crss​ 呈现下降趋势。5.2 量化 BASIC 器件的免疫裕量利用第3.1节的公式和表2的数据，我们可以精确定量比较不同关断策略下的免疫裕量（以B3M013C120Z为例）：情景 1：0V 关断 (不推荐)Margin=VGS(th),min​≈2.3V风险： 这是一个非常低的裕量，在高温下（TJ​=175∘C）会进一步降低到 1.9V 8，极易被 dV/dt 诱发的 VGS_spike​ 击穿。情景 2：-5V 负压关断 (BASIC 推荐)Margin=∣VGSop,neg​∣+VGS(th),min​=5V+2.3V=7.3V分析： 相比0V关断，采用BASIC推荐的-5V关断电压，串扰免疫裕量提升了 (7.3/2.3−1)≈217% 。结论： 这是一个从“勉强可用”到“高度鲁棒”的质变。7.3V 的裕量远高于 2.3V，足以“吸收”绝大多数高 dV/dt 工况下的 VGS_spike​，确保器件在各种工况下都能可靠关断。5.3 "足够深"的权衡：-5V vs -10V 的系统最优解一个自然的问题是：既然“负压够深”是关键，为什么BASIC不推荐使用更深的-8V，甚至是-10V（VGSmax​ 的极限值）呢？答案在于这是一个系统级的最优化权衡。BASIC推荐的 -5V 是一个经过深思熟虑的“最佳点”，而非越深越好。驱动功耗的权衡： 栅极驱动功耗 Pdrive​ 与栅极总电荷 Qg​ 和栅极电压摆幅 Vswing​ 成正比（Pdrive​=Qg​×Vswing​×fsw​）。使用 -5V 关断（-5V / +18V），Vswing​=18V−(−5V)=23V。若使用 -10V 关断（-10V / +18V），Vswing​=18V−(−10V)=28V。仅此一项，驱动功耗将凭空增加 (28−23)/23≈21.7%。在SiC追求的高频（MHz级别）应用中，这部分损耗非常可观。驱动电源的复杂性： -5V 是一个非常标准的负电源轨，易于通过隔离电源或电荷泵实现 。而-10V是非标准电压，会增加驱动电源设计的复杂度和成本。器件性能的复现： 这是最重要的一点。查阅BASIC三款器件的数据手册 ，可以发现：所有开关特性（td(on)​, tr​, td(off)​, tf​, Eon​, Eoff​）均在 VGS​=−5/18V 条件下测得 。所有栅极电荷（QGS​, QGD​, QG​）均在 VGS​=−5/+18V 条件下测得。所有反向二极管特性（VSD​, Qrr​, trr​）均在 VGS​=−5V 条件下测得。这充分说明，-5V / +18V 是BASIC器件的设计工作点。数据手册中所有标称的优异性能（如低开关损耗、快速反向恢复）都是基于-5V关断电压实现的。而-10V的 VGSmax​ 极限值，则为工程师提供了 100% 的安全余量（从-5V到-10V还有5V空间），以吸收由振铃或软开关瞬态引起的负向过冲 ，确保栅极氧化层（Gate Oxide）的长期可靠性。5.4 Crss​ 趋势的物理内涵如表2所示，BASIC器件的 Crss​ 随着电压等级的升高而降低（750V: 19 pF -> 1400V: 11 pF）。这背后有其器件物理机制：更高电压的器件需要更厚、更低掺杂的漂移区（Drift Region）来阻断高压。根据电容公式 C=ϵA/d，漂移区厚度 d 的增加，自然导致了 Cgd​（即 Crss​）的降低。这意味着，在相同的 dV/dt 下，BASIC的高压器件（1200V/1400V）产生的 Imiller​ 反而更小，其器件本身具有更强的抗串扰能力。然而，高压器件通常工作在更高的母线电压下（dV 更大），且系统设计者会追求更快的开关速度，导致 dV/dt 仍然很高。因此，-5V负压对于高压器件的可靠运行同样是不可或缺的。5.5 协同设计：4引脚封装的战略意义分析这三款器件 ，一个共同点是它们均采用了 4 引脚封装（TO-247-4 或 TO-247-4L）。这并非巧合，而是与负压关断能力相辅相成的战略性设计。4引脚封装提供了一个专用的“开尔文源极”（Kelvin Source, Pin 3），将栅极驱动回路的返回路径，与功率主回路的源极（Power Source, Pin 2）物理分离 。在传统的3引脚封装中，栅极驱动电流和主回路大电流（ID​）共享一段源极引线寄生电感，即“共源电感”（Common Source Inductance, CSI）。在开关瞬态（高 dI/dt）期间，CSI上会产生一个感应电压 VLs​=LCSI​×(dI/dt)。这个电压会叠加在栅极驱动回路上，形成一个强大的负反馈，极大地抑制SiC的开关速度 。协同关系： 4引脚封装（物理方案）通过消除CSI负反馈，释放了SiC全部的开关速度潜力，使其能够实现极致的 dI/dt 和 dV/dt。而这极致的 dV/dt 恰恰使得串扰问题成为最主要的威胁。此时，-5V负压（电气方案）则专门负责解决这个因高速而生的最主要威胁。因此，4引脚封装和-5V负压关断是BASIC SiC解决方案中不可分割的两个部分：前者实现了极致的速度，后者保证了极致速度下的稳定。深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。需求SiC碳化硅MOSFET单管及功率模块，配套驱动板及驱动IC，请联系倾佳电子杨茜微芯（壹叁贰 陆陆陆陆 叁叁壹叁）6. 结论：负压关断——SiC 高性能设计的基石本报告通过对SiC MOSFET串扰机制的物理分析、不同抑制方案的对比，以及对基本半导体（BASiC Semiconductor）器件的深度解读，得出了明确的结论。为什么“负压够深”是“最有力”的措施？根本性（Proactive）： 负压关断是唯一一种在不牺牲开关速度的前提下，主动、线性地提升串扰免疫物理裕量的措施。它从“防患于未然”的层面解决了问题，而不是在串扰发生时“被动响应”。高效性（High-Performance）： 它允许SiC器件以其设计的最高 dV/dt 运行，使设计者能够充分挖掘SiC的低损耗优势，实现最高的系统效率和功率密度，完美解决了“速度与稳定”的悖论。鲁棒性（Robust）： 负压提供的深裕量（如 7.3V）对器件 VGS(th)​ 随温度的波动（从 2.7V 降至 1.9V）不敏感，确保了SiC模块在整个工作温度范围内的可靠性和稳定性。基本半导体 (BASIC) 的设计哲学：基本半导体的产品设计清晰地展现了这一理念。通过在其全系列产品中 ：推荐 -5V / +18V 的 VGSop​ 作为系统最优工作点；提供 -10V 的 VGSmax​ 作为极限安全边界；采用 4引脚开尔文源 封装释放开关潜力。BASIC的这一系列设计，清晰地表明“鲁棒的负压关断能力”是其SiC MOSFET解决方案的核心设计理念。对于电力电子工程师而言，选择具有强大且明确负压关断能力的器件，是实现高频、高效、高可靠性SiC电力电子系统的坚实基础。
为什么“负压够深”是解决SiC MOSFET串扰问题的最有力措施
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#立创开源六周年# 这是我的复刻的第一个四层板，嘉立创官方在哔站也有详细的教程，让我学到了很多东西。感谢嘉立创提供的开源平台，让学生DIY更加便利。
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关于PCB 3D导出
PCB的3D导出的文件是不是颜色只能是默认的蓝色，可以修改吗
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我用了一个2512的电阻，走的线是5mm，但是我发现连上之后导线已经超过焊盘往电阻的另外一端走了，我想去掉这超过焊盘的部分该如何操作
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亲爱的客户朋友们～ [鼓掌]告诉大家一个好消息！为了让咱们的特价打样计价更合理、更贴合实际需求，同时带来更实惠的体验，我们即日起对特价打样活动的计价规则做了一波优化调整啦！ [惊喜]具体调整&说明如下： 1.「基础费」档位简化升级： 基础费是指加工零件的 “启动成本”—— 包含编程、机器调试、装夹、各环节人工投入及基础材料等必要开销。这次，我们把原来的 5 个档位的基础费【0 元 / 5 元 / 15元 / 25元 / 35 元】简化为3 个档位【0 元 / 5 元 / 35 元】，去掉了 15 元、25 元的中间阶梯，减少了价格门槛，同时针对性下调了部分规格的定价，整体打样成本比之前更优惠啦～ 2. 新增「材料拓展费」，成本和用料精准挂钩： 「材料拓展费」是在基础费之外，按零件实际消耗的材料体积 + 加工难度计算的浮动费用：用料在基础区间内按标准算，若用料超出则按不同体积阶梯加收费用。既不用为多余材料买单，还能帮助大家更合理地规划打样用料哦，避免材料浪费，打样成本更划算！ [比心]本次调整后的规则自2025年11月15日起正式生效！如对新规则有任何疑问，随时联系咱们的客服小伙伴咨询了解～ #嘉立创CNC# #嘉立创cnc免费打样# #免费打样# #特价打样#
CNC机械制造
请教封装图与D3不对应如何修改？谢谢
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嘉立创打印很OK啊
3D打印
在 11 月 13 日的 FlutterFlightPlans 直播中，Flutter 3.38 如期而至，本次版本主要涉及 Dot shorthands、Web 支持增强、性能改进、问题修复和控件预览等方面。Dot shorthands在 Dart 3.10 + Flutter 3.38 中开始默认支持 Dot shorthands ，通过 Dot shorthands 可以使用简写方式省略类型前缀，例如使用 .start 而不是 MainAxisAlignment.start ： // With shorthands Column( mainAxisAlignment: .start, crossAxisAlignment: .center, children: [ /* ... */ ], ), // Without shorthands Column( mainAxisAlignment: MainAxisAlignment.start, crossAxisAlignment: CrossAxisAlignment.center, children: [ /* … */ ], ), 类似的还有 .all 而不是 EdgeInsets.all： Padding( padding: .all(8.0), child: Text('Hello world'), ), 详细可见我们在之前聊过的 《Flutter 合并 'dot-shorthands' 语法糖》 。Web 增强flutter run 命令现在支持设置 Web 的配置文件，可以在工程根目录放入 web_dev_config.yaml 来配置 web 主机、端口、证书、headers 等，例如： server: host: "0.0.0.0" # Defines the binding address <string> port: 8080 # Specifies the port <int> for the development server https: cert-path: "/path/to/cert.pem" # Path <string> to your TLS certificate cert-key-path: "/path/to/key.pem" # Path <string> to TLS certificate key 通过支持代理 (proxy) 设置，还可以将请求转发到配置的路径到另一台服务器： server: proxy: - target: "http://localhost:5000/" # Base URL <string> of your backend prefix: "/users/" # Path <string> - target: "http://localhost:3000/" prefix: "/data/" replace: "/report/" # Replacement <string> of path in redirected URL (optional) - target: "http://localhost:4000/" prefix: "/products/" replace: "" 最后 3.38 还增强了 Flutter Web 的 hot reload 并默认开启，当以 -d web-server 参数运行并在浏览器打开时，可以支持多个浏览器同时连接 hot reload 。当然，和 -d chrome 一样，你也可以使用 --no-web-experimental-hot-reload 标志暂时禁用，不过禁用功能将在将来的版本中删除。大厂机会想选一个大厂作为跳板，作为自己镀金机会的，尤其是看【上海】【深圳】等→机会的朋友，前端-测试-后端！待遇薪酬还不错，尽管来！Framework本次 Framework 调整主要围绕交互优化相关，比如帮助开发人员可以更精细地控制 UI、导航和平台交互等。首先是引入了新的 OverlayPortal，允许将子 Widget 渲染在任一 Overlay 上，通过 overlayChildLayoutBuilder 可以更灵活地显示弹出、对话框、通知等 UI ，例如： class _OverlayPortalExampleState extends State<OverlayPortalExample> { final OverlayPortalController _controller = OverlayPortalController(); @override Widget build(BuildContext context) { return Scaffold( appBar: AppBar(title: const Text('OverlayPortal')), body: Center( child: OverlayPortal.overlayChildLayoutBuilder( controller: _controller, /// ****可以配置 root**** overlayLocation: OverlayChildLocation.rootOverlay, child: ElevatedButton( onPressed: () => _controller.toggle(), child: const Text('点击显示浮层'), ), overlayChildBuilder: (context, info) { return Material( elevation: 4, color: Colors.white, shape: RoundedRectangleBorder( borderRadius: BorderRadius.circular(8), ), child: Container( padding: const EdgeInsets.all(12), child: const Text('这是一个浮层'), ), ); }, ), ), ); } } 通过 overlayChildLayoutBuilder 可以拿到主 Widget 的位置信息，可将浮层显示在任意屏幕位置，比如按钮下方、屏幕中心、或与鼠标位置对齐。接着是在 Android 平台下，使用 MaterialApp 时默认启用了预测后退路由转场 (predictive back route transitions)，后退手势时能看到当前界面预览，此外默认页面转换已从 ZoomPageTransitionsBuilder 更新为 FadeForwardsPageTransitionsBuilder 。然后就是久违的 PC 端更新，针对 Windows 桌面开发增强：可访问已连接显示器列表，并查询每个显示器的分辨率、刷新率、物理尺寸等属性，算是对多窗口模式的增强，例如 PlatformDispatcher.displays 获取到 当前所有显示器： void printDisplayInfos() { final platformDispatcher = WidgetsBinding.instance.platformDispatcher; final displays = platformDispatcher.displays; for (final display in displays) { final id = display.id; final size = display.size; // Size in logical pixels final dpr = display.devicePixelRatio; final refreshRate = display.refreshRate; } } 同时，现在如果在 Widget 生命周期回调中发生的错误（例如 didUpdateWidget）可以更优雅地处理，防止它们在元素树中导致级联故障 （#173148），以前如果开发者在这些回调中抛出了异常（哪怕只是一个小错误），整个元素树可能会进入不一致状态或直接崩溃。而现在 Framework 在这些生命周期阶段调用时， 将内部异常捕获包装在更安全的范围内，也就是说，如果你的某个子 Widget 在 didUpdateWidget() 抛出错误， Flutter 会：捕获这个错误；上报给 Flutter 的全局错误处理系统（FlutterError.onError）；允许其他 widget 正常 rebuild；避免整个 Element Tree 出现「级联错误」(cascade failure)也就是让错误隔离更强，不再因为一个 widget 的生命周期异常破坏整个界面，而 IDE 中仍然能看到详细的异常栈，从而让应用的健壮性显著提升（尤其对热重载、动态组件更新等场景）。最后是一些问题修复，例如：修复了之前 ResizeImage 的 == 和 hashCode 实现不正确的问题，在之前即使两个 ResizeImage 指向同一底层图像和相同尺寸， Flutter 也认为它们不相等在 Web 上继续修复 RSuperellipse，以防止在角半径大于 Widget 本身 （#172254） 时出现渲染错误对于国际用户来说，检测浏览器的首选区域设置得到优化，引擎现在使用标准的 Intl.Locale Web API 来解析浏览器语言，取代了以前的手动实现 （#172964）修复了Android的特定错误（#171973） ，主要影响配备硬件键盘的三星设备，以前在用户与 TextField 交互后，Android 输入法编辑器 （IME） 可能会陷入过时状态，导致 IME 错误地拦截“Enter”或“Space”键按下，从而阻止非文本 Widget （如复选框或单选按钮）接收事件，而本次的修复可以确保在文本连接关闭时正确重置 InputMethodManager，清除 IME 的过时状态，并为用户还原可预测的硬件键盘交互Material 和 Cupertino 更新在弃用 MaterialState 的基础上，3.38 继续内部迁移到更统一的 WidgetState，这提供了一种更一致的方式来定义控件在不同交互状态（例如按下、悬停或禁用）中的外观，并且开发这不需要对现有应用代码进行更改。3.38 开始恰迁移已逐步应用在各种 Widget 及其主题，包括 IconButton、ElevatedButton、Checkbox 和 Switch （#173893），新的 API 还增加了功能和灵活性，例如：IconButton 现在包括一个 statesController 属性 （#169821），允许以编程方式控制其视觉状态Badge.count 构造函数现在包含一个 maxCount 参数 （#171054） ，可以限制显示的计数（例如，显示“99+”而不是“100”）为了实现更细粒度的手势控制，InkWell 现在具有 onLongPressUp 回调 （#173221），可用于触发仅在用户抬起手指时才相应完成Cupertino 也继续朝着更好的 iOS 保真度迈进， CupertinoSlidingSegmentedControl 添加了isMomentary 属性 （#164262） 以允许控件触发而不保留选择，为了更好地匹配原生 iOS 行为，CupertinoSheet 在完全展开时向上拖动时具有微妙的“拉伸”效果 （#168547）修复 DropdownMenuFormField 在窗体重置时正确清除其文本字段 （#174937）更新 SegmentedButton 改进焦点处理 （#173953）并确保其边框正确反映Widget的状态（#172754）滚动 (Scrolling) 和 Sliver 系列控件改进，例如 SliverMainAxisGroup / SliverCrossAxisGroup 在复杂滚动布局中手势处理、点击响应、焦点导航更可靠，例如：对多个 sliver 进行分组的开发人员会发现手势处理现在更加可靠，现在可以正确计算这些组中细片上的点击和其他指针事件的命中测试，确保用户交互按预期运行 （#174265）在 SliverMainAxisGroup 使用固定标题时过度滚动的问题已得到解决 （#173349），调用 showOnScreen 显示 sliver 现在可以正常工作 （#171339），并且内部滚动偏移量计算更加精确（#174369）。对于构建自定义滚动视图的开发人员来说，新的 SliverGrid.list 构造函数 （#173925） 提供了一种更简洁的方法，可以从简单的子列表创建网格另外还改进了复杂布局中键盘和方向键用户的焦点导航，在具有不同滚动轴的嵌套滚动视图（例如水平轮播的垂直列表）中，定向焦点导航现在更具可预测性，可防止焦点在部分之间意外跳转 最后， Material 和 Cupertino 与框架的解耦还在继续，核心内容就是，解耦后需要作为第一方官方包发布，需要自动化语义化版本管理，避免冲突，支持自定义发布（如跳过特定提交、批量破坏性变更），采用“批量发布”（Batch Release），使用 Cocoon cron job 每周生成合并 PR；开发者通过 “commit消息、PR 标签或独立changelog 文件标记变更，首选选项为 PR 独立 changelog 文件，由 bot 合并等。另外就是 Widgets测试不导入Material/Cupertino；Cupertino不导入Material，Material负责所有多库导入测试，包括 Cupertino 兼容性和自适应等。以下是一些关于Material 和 Cupertino 与框架的一些关键讨论地址：docs.google.com/document/u/…docs.google.com/document/d/…docs.google.com/document/d/…docs.google.com/document/d/…github.com/flutter/flu…docs.google.com/document/d/…Accessibility对于构建复杂应用的开发人员，3.38 引入了使用 WidgetsFlutterBinding.instance.ensureSemantics （#174163） 在 iOS 上默认打开辅助功能的功能，调试辅助功能问题现在变得更加容易，因为 debugDumpSemanticsTree 包含额外的文本输入验证结果信息，以帮助更快地诊断问题 （#174677）。为了在基于 sliver 的滚动视图中实现高级可访问性，3.38 增加了新的 SliverSemantics （#167300） ，与现有的 Semantics 非常相似，开发人员可以在 CustomScrollView 中使用 SliverSemantics 使用特定语义信息注释其 sliver 树的某些部分，这对于注释标题、分配语义角色以及为屏幕阅读器向 sliver 添加描述性标签特别有用，从而为用户提供更易于理解和访问的体验。最后，核心 Widget 的可访问性不断完善，现在默认情况下可以访问 CupertinoExpansionTile （#174480），AutoComplete 现在向用户宣布搜索结果的状态 （#173480），TimePicker（#170060） 中有更大的触摸目标，有助于提供更易于访问的开箱即用体验。iOSiOS 平台已经完整支持最新的 iOS 26、Xcode 26、macOS 26，特别是在命令行部署使用 devicectl 替代必须启动 Xcode App 的流程，现在 Flutter 3.38 可以在大多数情况下仅依赖于 Xcode26 命令行 构建工具，更多可见：Flutter 在 iOS 26 模拟器跑不起来？其实很简单Flutter 完成全新 devicectl + lldb 的 Debug JIT 运行支持虽然官方说完全支持，但是 iOS26 问题还是有的，例如：《来了解一下，为什么你的 Flutter WebView 在 iOS 26 上有点击问题？》另外 Flutter 3.38 包括了对 Apple 强制的 UIScene 生命周期的基本支持，这是继 Apple 在 WWDC25 上宣布之后的一次关键的主动更新：“在 iOS 26 之后的版本中，任何使用最新 SDK 构建的 UIKit 应用都将需要使用 UIScene 生命周期，否则它将不会启动”。详细可见：iOS 26 开始强制 UIScene ，你的 Flutter 插件准备好迁移支持了吗？ ，因为适配 UIScene 需要 迁移官方提供了手动迁移和自动迁移的支持，其中自动迁移需要配置 flutter config --enable-uiscene-migration ，更多迁移细节可见：docs.flutter.dev/release/bre…对于 UIScene 支持，更致命的主要还是插件开发者，对于插件作者而言 UIScene 迁移带来了更大的挑战：必须确保插件既能在已经迁移到 UIScene 的新应用中正常工作，也要能在尚未迁移的旧应用或旧版 iOS 系统上保持兼容，例如：一个依赖生命周期事件的插件（例如，一个在应用进入后台时暂停视频播放的插件）不能简单地把监听代码从 AppDelegate 移到 SceneDelegate，这样做会导致它在未迁移的应用中完全失效，因此插件必须能够同时处理两种生命周期模型具体插件迁移步骤：注册场景事件监听：在插件的 register(with registrar: FlutterPluginRegistrar) 方法中，除了像以前一样通过 registrar.addApplicationDelegate(self) 注册 AppDelegate 事件监听外，还需要调用新的 API 来注册 SceneDelegate 事件的监听，Flutter 提供了相应的机制让插件可以接收到场景生命周期的回调实现双重生命周期处理：插件内部需要实现 UISceneDelegate 协议中的相关方法，在实现时要设计一种优雅降级的逻辑。例如同时实现 applicationDidEnterBackground 和 sceneDidEnterBackground，当 sceneDidEnterBackground 被调用时，执行相应逻辑并设置一个标志位，以避免 applicationDidEnterBackground中的逻辑重复执行（如果它也被意外调用的话）更新废弃的 API 调用：插件代码中任何对 UIApplication.shared.keyWindow 或其他与单一窗口相关的废弃 API 的调用都必须被替换Android升级到 Flutter 3.38 是满足 Google Play 16 KB 页面大小兼容性要求的重要准备工作， 因为 3.38 的更改可确保你的应用在高 RAM 设备上正常运行，并提供性能优势，例如启动速度提高多达 30%。Flutter 3.38 将默认的 Android ndkVersion 更新为 NDK r28，这是原生代码实现 16 KB 支持正确对齐所需的最低要求。Flutter 3.38 还修复（#173770）了影响 Android 上所有 Flutter 应用的严重内存泄漏，该问题在 3.29.0 中引入，发生在退出时销毁 Activity 时出现。对于 Flutter 3.38 版本，Android 环境目前的推荐配置：Java 17：Flutter 3.38 中 Android 开发所需的最低版本KGP 2.2.20：该工具已知且支持]的最大 Kotlin Gradle 插件版本AGP 8.11.1：与 KGP 2.2.20 兼容的最新 Android Gradle 插件版本Gradle 8.14：此版本适用于所选版本的 Java、KGP 和 AGP，请注意 Gradle 8.13 是 AGP 8.11.1 所需的最低版本。为确保应用在 Flutter 版本之间无缝运行，强烈建议在构建文件中使用 Flutter SDK 提供的 API 级变量：flutter.compileSdkVersion (API 36)flutter.targetSdkVersion (API 36)flutter.minSdkVersion (API 24) or higherEngineperformance overlay 已经重构，现在提高效率的同时，减少了 Skia 和 Impeller 后端的渲染时间，这意味着可以以更少的开销获得更准确的性能数据。对 Vulkan 和 OpenGL ES 后端的大量修复和改进提高了更广泛设备上的稳定性和性能，包括更好地处理管道缓存 （#176322）、fencewaiters（#173085） 和 image layout transitions （#173884）。另外对于 Web，继续统一 CanvasKit 和 Skwasm 渲染器的工作，3.38 包括了它们的重大重构，以在两者之间共享更多代码，这将在未来带来更一致的体验和更快的开发 （#174588）。重点重点重点：iOS 和 Android 中已删除选择退出线程合并的功能。DevTools 和 IDEFlutter 3.35 引入了 Widget Previews，而 Flutter 3.38 版本对 Widget Previews 进行了重大改进，包括 VSCode 和 Intellij / Android Studio 插件都已更新，初步支持 Widget Previews ，可以直接在 IDE 中查看预览：在 IDE 中使用时，默认情况下 Widget Previews 环境配置为根据当前选定的源文件过滤显示的预览：另外，Widget Previews 现在支持浅色和深色模式，以及自定义 IDE 配色方案以匹配开发环境，控件预览环境中的控件也进行了调整，以使用更少的空间，从而为渲染预览留出更多空间。此外，览批注类不再标记为最终批注，现在可以扩展以创建自定义预览批注，从而减少常见预览类型的样板：并且新的 MultiPreview 基类允许从单个自定义注释创建多个预览变体：Preview 类中的新 group 参数允许对相关预览进行分组，减少了对 @Preview 注释参数的限制，支持私有常量作为 Preview 注释的参数等。目前关于预览还有一些问题，例如 #178317 ，例如 Widget 预览器可能会在 flutter pub get 后崩溃或停止更新。其他关于 Tool 更新还有：Flutter DevTools Widget Inspector 正在增加支持适配预览IDE 中预览的多项目支持：预览目前仅支持显示单个项目或 Pub 工作区中包含的预览，多项目正在支持正在推进预览的性能改进的机会，以减少初始启动时间Network Panel 的交互改进Flutter Inspector 修复了选择 Widget 有时会打开底层框架源代码而不是用户源代码的错误修复了 Flutter Inspector 偶尔阻止与“检查器”面板中的顶部按钮交互的错误弃用和重大变更首先，3.38 进行了可能影响自定义生成脚本的关键生成和工具更改，Flutter SDK 根目录的 version 文件已被删除，取而代之的是位于 bin/cache （#172793） 中的新 flutter.version.json 文件，此外默认情况下不再生成 AssetManifest.json 文件 （#172594）。另外还有：对于 predictable behavior，包含作的 SnackBar 将不再自动关闭 （#173084）前面介绍过的 OverlayPortal.targetsRootOverlay 构造函数已被弃用，取而代之的是更灵活的 OverlayPortal（ overlayLocation: OverlayChildLocation.rootOverlay ）CupertinoDynamicColor 上的几个属性（例如 withAlpha 和 withOpacity）现在已弃用，取而代之的是标准 Color 方法Flutter 3.38 要求 Java 17 作为 Android 的最低版本，符合 Gradle 8.14（2025 年 7 月版）的最低要求最后本次 3.38 的更新还是挺丰富的，同时也是一个不得不升级的版本，不管是为了 iOS 26 适配和未来上架，还是为了安卓更稳定的 16KB 体验，这都是一个不得不升级的版本。那么大家准备好直接吃 3.38.0 的螃蟹还是等 3.38.6 ?——转载自：恋猫de小郭
Flutter 3.38 发布，快来看看有什么更新吧
开源硬件平台
@嘉立创CNC 前天还正常，今天这报价咋回事@嘉立创CNC
CNC机械制造
现在还是处在内测阶段吗？什么时候正式发布呢？
云CAD什么时候正式发布呢？之前申请了，但是一直处在处理中，现在pcb打样，3D外壳，面板都有了，就差CAD了[呲牙][呲牙][呲牙]
嘉立创云CAD
这进步的阶梯不就给搭好了嘛
嘉立创PCB
原理图DRC 检查结果与实际情况不同
DRC 说+3.3V 标识连接到的导线是$1+3.3V，但是导线实际就是+3.3V。必须把+3.3V 标识剪切再粘贴重新放到导线上才能消除DRC 警告。
嘉立创EDA
设计规则里的文本是指什么呢 我得文字放在顶层丝印层，放在插件焊盘上，也没有DRC错误
嘉立创EDA
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