MOS管电平转化电路应用时需要注意三个坑

在实际电路应用中，我们经常会遇到MOS管做的电平转换电路，但是此MOS管做的电平转化电路有三个“坑”，今天就将这三点注意事项分享与诸位道友，此电平转化电路为双向转化。

第一点：源极侧和漏极侧的电平大小

MOS管的源极侧放置的信号电平应该比漏极的信号电平低，例如下图，源极侧放置电平为1.8V/0V，右侧放置电平为3.3V/0V。如果源极放的信号电平是高于漏极的信号电平，那么该电路将工作异常，不能正常电平转化。

第二点：高电平的驱动能力

这个MOS管电平转化电路的驱动能力完全取决于上拉电阻的大小，上拉电阻越大，驱动能力越弱。如果发现被转化的信号的上升沿很缓，或者通讯异常，那么可以考虑是否是外部线缆长度过长带来的容性增加，可以减小线缆长度或者减小上拉电阻的大小以改善信号波形。

例如ti的电平转化芯片TXS0102（润石的RS0102也是一样）就是基于这个MOS管的电平转化电路去设计的，下图是TXS0102的内部框图，那么同理，这个TXS0102的驱动能力也是有限的，如果想增加驱动能力，可以外部再并联的电阻，增加驱动能力：

第三点：漏电

这个MOS管的电平转化电路会有一定的漏电，所以在不需要的时候可以再外部增加二极管去防止漏电。（多数接口不需要，具体接口具体分析）。串联二极管是避免下游的上拉5V的电压漏电到本地系统的VCC_5V0，导致本地电路异常（本地电路不上电的情况下）。他这个DDC的电路是TX输出端，瑞芯微的文档内提出的Sink是下游设备，在HDMI里，DDC是上下游均做上拉处理。

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